Processo produttivo FinFET 10nm inserito nella roadmap di Samsung

Il processo produttivo FinFET 10nm rappresenta giocoforza la strada che percorrerà Samsung da qui ai prossimi anni, in ossequio ad una notizia oramai sviscerata qualche mese or sono, allorchè il colosso coreano aveva già scoperto le proprie carte in vista del futuro in occasione dell’International Solid State Circuits Conference (ISSCC) di San Francisco, tenutosi a ridosso della presentazione dei nuovi Samsung Galaxy S6 Flat ed EDGE. Un appuntamento molto chiaro, che ha permesso di comprendere le strategie del brand per i processori proprietari del 2016 e 2017.

Processo produttivo FinFET 10nm

Adesso il processo produttivo FinFET 10nm è stato ufficialmente inserito nella roadmap di Samsung, ed a darne conferma è un video caricato su YouTube da un esponente di Samsung Foundry, Kelvin Low, che annuncia alcuni dettagli circa le strategie prossime dell’azienda coreana. Tra questi possiamo ascrivere la produzione di massa, che sarà avviata soltanto nello spirare del 2016, ma anche la formale richiesta di collaborazione con tutti coloro i quali sono e saranno interessati a sviluppare detta tecnologia.

Il processo produttivo FinFET 10nm prenderà dunque il posto dell’attuale a 14nm FinFET utilizzato per l’Exynos 7420, il primo a potersi fregiare di questa intestazione ed implementato sui nuovi Galaxy S6 Flat ed EDGE. Il “solito” Sammobile riferisce che la tabella di marcia orchestrata da Samsung potrebbe esser oggetto di modifiche, allorchè si vorrebbe evitare che i clienti prendessero in considerazione il passaggio ai chip con processo produttivo a 10nm di TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.), che potrebbe quindi “saltare” a piè pari la tecnologia semiconduttrice a 14nm e passare direttamente ai 10nm. Una strategia che, del resto, ricorda quella orchestrata da Samsung, optando per il processo produttivo a 14nm in luogo dei 20nm.

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