iPhone 7: in previsione nuove memorie Nand Flash da Toshiba e SanDisk

Apple-iPhone-7-concept-video-imagines-a-grown-up-handset-with-ultrathin-bezelsiPhone 7: in previsione nuove memorie Nand Flash da Toshiba e SanDisk. E’ vero che i nuovi iPhone 6s e 6s Plus devono ancora arrivare, ma è interessante dare un’occhiata a quello che potrebbe essere in cantiere per la prossima generazione di iPhone. Infatti, non è un segreto che se la progettazione viene fatta dalla casa di Cupertino, le caratteristiche hardware sono fornite da produttori esterni.

Proprio Samsung, nonostante la rivalità feroce e le grandi battaglie sui brevetti costanti con il produttore di Mac, è una delle maggiori case produttrici per Apple, ma anche Toshiba e SanDisk, nel frattempo, sono i principali fornitori di componenti interni come le memorie flash che si trovano all’interno dell’Phone 6.

Toshiba e SanDisk hanno dato vita alla prima memoria 256-gigabit (32 GB) con processo a 15nm, ovvero hanno creato moduli flash da 32 GB con grandi prestazioni, nettamente superiori rispetto alle attuali memorie, sia in termini di velocità ed efficienza energetica. Inoltre troviamo la tecnologia 3D BiCS (Bit costo Scaling) che rende la scrittura e la cancellazione dei dati di un processo più affidabile rispetto alla memoria tradizionale 2D. Ciò significa che i dati possono essere scritti in modo più rapido, e dovrebbero, a loro volta, dare licenza per dispositivi come l’iPhone 7 di godere di miglioramenti sulla velocità.

Apple non è affatto l’unica società che potrà sfruttare tali memorie, ma dal momento che Toshiba e SanDisk sondo già incluse nella catena di fabbricazione dell’iPhone 7, è ragionevole ipotizzare che Tim Cook e Co potrebbero essere in prima linea per questa novità tecnica.

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