Nuove S-RAM Samsung arriveranno con tecnologia a 10nm FinFET

smartphone Samsung Galaxy S7Nuove S-RAM Samsung arriveranno con tecnologia a 10nm FinFET. Notizie importanti per il mondo mobile arrivano direttamente dalla sud Corea, infatti l’azienda coreana Samsung ha ufficializzato l’inizio di un particole sviluppo tecnologico per la nuova generazione di S-RAM dedicata agli smartphone ed ai dispositivi mobili.

Le nuove S-RAM Samsung arriveranno con tecnologia a 10nm FinFET con 128 MB di transfer rate, praticamente nettamente più veloce il trasferimento rispetto alle attuali D-RAM. Inoltre, ci sarà una dimensione occupata minore del 37,5% rispetto a quando sono prodotte con l’attuale processo processo produttivo a 14 nm.

La notizia più interessante è che non si dovranno attendere secoli, infatti, in base a quanto emerso, Samsung dovrebbe essere pronta alla produzione di massa di queste nuove S-RAM all‘inizio del 2017, quindi giusto in tempo per la generazione Galaxy S8!

Quindi dal 2017 i primi chip mobili potrebbero essere in grado di sfruttare queste nuove S-RAM Samsung che saranno in grado di incrementare la velocità e ridurre sensibilmente i consumi, non resta che attendere!

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